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丰田、索尼等8大巨头联手,日本以举国之力造高端芯片

2022-11-14 12:04:35 [显示全部楼层] 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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  11月11日,一家名为Rapidus的半导体公司横空出世,引发了日本汽车圈及科技圈的震动。

  这家半导体公司是在日本政府的主导下,由日本多个行业的8大巨头联合组建而成的,分别是:丰田、电装、索尼、日本电报电话公司(NTT)、日本电气(NEC)、软银、铠侠、三菱 UFJ 銀行。未来,Rapidus将在日本国内生产超级计算机、人工智能等领域的下一代半导体。

  同日,日本经济产业省公布了推动下一代半导体设计和制造的政策,具体措施包含两方面,一是联合美国建立先进半导体的研发中心LSTC,二是成立先进制程芯片公司Rapidus。作为“后5G信息通信系统基盘强化研究开发项目”的一部分,日本政府将向Rapidus提供700亿日元(约合人民币35.8亿元)补贴,旨在将日本重新打造成先进芯片的领先制造国。

  图片来源:日本京都新闻

  ■剑指“2纳米以下”

  Rapidus的出现,是日本发力半导体产业的一记重拳。11月11日下午,在日本东京召开的新闻发布会上,日本经济产业大臣西村康稔宣布新公司命名为Rapidus,并表示:“半导体将成为人工智能、数字产业和医疗保健等新前沿技术发展的关键组成部分。”

  细细看来,Rapidus的股东阵容颇为强大,既有汽车巨头丰田和零部件巨头电装,又有科技巨头索尼和电信巨头日本电报电话公司,还有大型半导体企业日本电气和铠侠,后者原名东芝存储器,最早是东芝集团的半导体核心业务,后剥离出售。另外,还有知名科技投资公司软银和日本最大的银行三菱 UFJ 银行。资金方面,三菱UFJ银行将向Rapidus出资3亿日元,而其他7家企业分别出资10亿日元,共计73亿日元。

  发布会上,Rapidus公布了剑指下一代半导体国产化的企业计划。据了解,Rapidus的目标是量产全球目前尚未实际运用的2纳米以下半导体,其将与美国IBM等公司合作,开发2纳米逻辑半导体技术,建立试验线,引进EUV光刻机等,计划2027年实现量产。

  不得不说,Rapidus“2纳米以下”的计划显得颇有野心。目前,全球范围内最先进的半导体制程工艺推进到了3纳米阶段,台积电和三星电子今年开始量产3纳米芯片,且计划最早在2025年大规模生产2纳米芯片。相比之下,日本企业目前只能生产40纳米左右的芯片。

  在这种情况下,日本选择寻求外援——美国。今年7月,双方同意建立一个新的联合研发中心,以开发速度更快、能效更高的下一代2纳米半导体。日本经济产业省11日表示,该研发中心将于年底前成立,并将与日本国内和国际企业及研究机构合作。日本政府已经为此拨出大约3500亿日元的财政预算。

  Rapidus则负责将其研究成果与大规模生产联系起来。日本政府希望以此打造“最先进半导体的供给网络”。一位日本经济产业省官员告诉路透社,日本政府未来可能会再投资数十亿美元,并希望吸引美国和欧洲半导体相关企业,例如IBM、阿斯麦等加入。

  ■欲重拾昔日辉煌

  研发中心及Rapidus的成立,是日本“复活”本土半导体产业,并在未来构筑半导体竞争优势的重要举措。Rapidus在拉丁文中指代“快速”,对此外界认为,这与当前全球主要经济体在人工智能和量子计算等领域展开的激烈竞争有关,新名称蕴含了期待快速成长之意。

  图片来源:日刊工业新闻社

  上世纪80年代的日本是半导体行业的领头羊,辉煌一时,曾独占全球半导体产业约50%的份额,后在美国的打压下逐渐衰落。多年来,日本在半导体行业投资不足,市场份额也被美国、韩国等地竞争对手抢走,降至大约10%。疫情期间,芯片短缺扰乱了全球制造业,也让各国重新意识到了半导体的重要性。美国、欧盟、中国、韩国等纷纷将半导体提升至国家战略高度。日本也在2021年将重振半导体产业列为国家项目,希望重拾昔日辉煌。

  为此,日本政府积极提供援助,招揽国内外半导体厂商在日本建厂。例如,日本去年向台积电补贴大约4000亿日元,助其在熊本县建厂,并向索尼和电装等供应芯片。今年7月,日本提供930亿日元补贴(约合人民币47亿元),以帮助铠侠和西部数据公司提升在日本的产量。今年9月,日本同意向美国芯片厂商美光科技提供465亿日元(约合人民币24亿元)补贴,用于美光科技投资广岛工厂以制造先进存储芯片的项目。

  根据日本经济产业省11日发布的公告,日本半导体产业“复活”的基本战略分为三步,一是从2020年起,紧急强化用于物联网(IoT)的半导体生产基盘;二是从2025年起,加强日美合作,从日美联合项目中获取新一代半导体技术,并在日本国内确立相关生产体系;三是从2030年起,加强全球化合作,实现光电融合技术等未来科技。

  另外,据了解,在进入22纳米制程后,过去十年,鳍式场效应晶体管(Fin FET)成为半导体器件的主流结构,一直延续到5纳米。而今,全环绕栅极晶体管(GAA FET)被广泛认为是Fin FET的接任者。

  “(日本)较世界落后十年,是先进逻辑半导体领域的后发国家。”日本经济产业省指出,十年前日本没能实现Fin型半导体的量产,而当前最先进半导体结构正处于从Fin型到GAA型的转换期,变化较大,这是日本重新进入下一代半导体主战场的“最后一个机会”。

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